Компания SanDisk анонсировала выпуск новейшего твердотельного накопителя (SSD) UltraQLC SN670 с впечатляющей емкостью 256 ТБ, что является беспрецедентным достижением для продукции данного производителя. Этот высокотехнологичный накопитель предназначен для решения сложных и ресурсоёмких задач, таких как искусственный интеллект, большие аналитические системы и гипермасштабируемая инфраструктура, где важна скорость, объём и надёжность хранения данных. Вновь созданный SSD обещает значительно повысить эффективность работы систем обработки данных, предлагая масштабируемое решение для ведущих дата-центров и крупных технологических инфраструктур.
В основе SN670 лежит передовая 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллами ёмкостью 2 Тб, использующая технологию CMOS directly Bonded to Array (CBA). Это позволяет обеспечить более плотное размещение ячеек и повысить плотность хранения, а также улучшить стабильность и долговечность устройства. Новинка подключается через интерфейс PCIe Gen5 NVMe, что обеспечивает высокие скорости передачи данных и позволяет справляться с многопоточными задачами без потерь в производительности. В дополнение, накопитель входит в новую платформу SanDisk UltraQLC, специально разработанную для задач высокой нагрузки и необходимости масштабирования.
Одной из заметных характеристик SN670 является отказ от использования кэша pseudo-SLC, что зачастую применяется для ускорения работы SSD и повышения долговечности. Вместо этого в устройстве реализована технология Direct Write QLC, которая упрощает процесс записи, повышает надёжность при отключении питания и снижает накапливаемое износ. Однако, несмотря на преимущества, такой подход потенциально может негативно сказываться на производительности во время кратковременных пиковых нагрузок, что важно учитывать при использовании в критически важных системах.
Область заявленных успехов включает более 68% прирост скорости случайного чтения и 55% — случайной записи по сравнению с существующими моделями емкостью 128 ТБ на базе QLC SSD пятого поколения. Усовершенствования касаются не только скорости, но и последовательных операций: согласно внутренним тестам, последовательное чтение увеличено более чем на 7%, а последовательная запись — более чем на 27%. Эти показатели демонстрируют значительный прогресс в повышении эффективности хранения данных. Для повышения производительности и снижения энергоемкости в новых накопителях применяются технологии Dynamic Frequency Scaling — позволяющая повысить скорость до 10% при постоянном энергопотреблении, а также расширенные профили сохранения данных, способствующие снижению износа компонентов примерно на треть, что увеличивает срок службы устройств.
Тем не менее, пока отсутствуют публичные технические характеристики, такие как скорости чтения и записи, а также показатели износостойкости (TBW), что затрудняет независимую оценку их реальных возможностей и сравнение с конкурентными решениями. Компания SanDisk подчёркивает использование собственного контроллера и прошивки, которые, по заявлению, обеспечивают минимальные задержки и высокий пропускной способностью, однако без соответствующих публичных бенчмарков такие заявления остаются непроверенными. Ранее модели SanDisk на базе QLC NAND демонстрировали ограниченные показатели по сравнению с более дорогими и долговечными решениями на базе TLC NAND.
На первых порах новинка будет доступна в форм-факторе U.2, что позволяет интегрировать устройство в профессиональные системы хранения данных. В будущем ожидается расширение ассортимента и появление новых вариантов исполнения, что облегчит внедрение накопителя в различные инфраструктуры. В целом, 256-терабайтный накопитель SanDisk — это, скорее, демонстрация технологических возможностей будущего, чем продукт для массового потребителя. Он отражает тенденции в развитии технологий хранения данных и предназначен для тех, кто работает с огромными объёмами информации и требует максимально высокой скорости и надёжности. Проект компании показывает, что будущее области хранения данных связано с использованием новых технологий, увеличением плотности и скоростных характеристик накопителей, что обязательно приведёт к революционным сдвигам в самых передовых сегментах информационных технологий.
